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关键IC制造装备国产化获重大突破
2011-12-01 17:56:15   来源:   评论:0 点击:

据中国工业报 沈阳拓荆科技有限公司承担研制的国家02重大科技专项暨国产12英寸PECVD样机近日出厂。这是我国自主开发研制的首台12英寸PECVD设备。 12英寸PECVD设备是国际主流薄膜沉积设备,是芯片制造过程中四...

    据中国工业报 沈阳拓荆科技有限公司承担研制的国家02重大科技专项暨国产12英寸PECVD样机近日出厂。这是我国自主开发研制的首台12英寸PECVD设备。

    12英寸PECVD设备是国际主流薄膜沉积设备,是芯片制造过程中四种最基本、最重要的设备之一。一直以来,12英寸PECVD技术都被欧美以及日本等国家所垄断。此次首台国产12英寸PECVD设备顺利出厂,标志着我国在集成电路高端设备研究和制造领域技术达到了国际先进水平,使我国IC薄膜设备制造水平与国际IC制造业主流技术水平保持同步,完善了国内半导体重要装备的产业链,打破了国外产品的市场垄断和技术垄断,使我国有能力在IC高端设备市场上参与国际竞争,对提升我国IC制造装备的自主创新能力和核心竞争力具有重要的战略意义。

    此次拥有完全自主知识产权的12英寸PECVD设备样机的成功研发,使沈阳确立了在全国的集成电路装备研发与制造领域同北京、上海三足鼎立的地位,这对调整辽沈地区传统产业结构,创造新的经济增长点,推动辽沈地区IC装备制造产业化发展具有重大的意义。

    《中国质量报》

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